TSMC وسامسونغ تتبنيان تقنيات ASML المتقدمة لتصنيع شرائح الذكاء الاصطناعي
تعتزم TSMC وسامسونغ استخدام أجهزة الطباعة الضوئية High NA EUV من ASML لصناعة شرائح أكثر تقدّمًا تلائم تطبيقات الذكاء الاصطناعي. وتبلغ كلفة الجهاز الواحد نحو ٤٠٠ مليون دولار، فيما تبدأ سامسونغ تشغيله لإنتاج ذاكرة DRAM في ٢٠٢٨. وتتوقع TSMC توسيع الاعتماد عليه مع ازدياد تعقيد تصميمات الترانزستور، بينما تشارك الشركتان ASML في تطوير فوتوماسكات بقياس ١٢ بوصة بدلًا من ٦ بوصات. ويقول المصدر إن هذا التحول قد يرفع الإنتاجية ويخفض كلفة تصنيع الشرائح.
الحقائق الأساسية
تبدأ سامسونغ استخدام أجهزة High NA EUV لإنتاج شرائح ذاكرة DRAM في ٢٠٢٨، وتخطط لتوسيع دمجها حتى ٢٠٣٠.
«أعلنت Samsung أنها ستستخدم هذه الأجهزة في إنتاج شرائح الذاكرة DRAM اعتبارًا من 2028، وأكدت أنها ستواصل دمج التقنية بشكل أوسع ضمن خارطة تطوير الشرائح حتى عام 2030، بهدف تعزيز الكفاءة وتوسيع نطاق التصغير في عمليات التصنيع.»
عرض المصدر ←تُقدّر كلفة جهاز High NA EUV الواحد بنحو ٤٠٠ مليون دولار.
«وتقدر تكلفة الجهاز الواحد من النوع الجديد بنحو 400 مليون دولار.»
عرض المصدر ←تشارك سامسونغ وTSMC في تطوير فوتوماسكات جديدة بقياس ١٢ بوصة، ما قد يحسن الإنتاجية ويخفض كلفة التصنيع.
«على صعيد متصل، أعلنت كل من Samsung وTSMC عن مشاركة ASML في مبادرة تطوير فوتوماسكات الجيل القادم بقياس 12 بوصة، بدلاً من القياس التقليدي الحالي 6 بوصة. وتتيح هذه الخطوة تحسين الإنتاجية وخفض تكاليف تصنيع الشرائح الإلكترونية.»
عرض المصدر ←
المصادر
شفت معلومة تحتاج تصحيح؟ بلّغنا ونتحقق ونصحّح — سياسة التصحيح
صحّح هذا الخبر